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Numero parte | BSZ105N04NSGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ105N04NSGATMA1 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | OPTLMOS POWER-MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSZ105N04NSGATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSZ105N04NSGATMA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 11A (Ta), 40A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 14µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.3 pF @ 20 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TSDSON-8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
HUF75545S3ST | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK | 1334 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10906 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.19000 | $0.19 |
5000 | $0.19000 | $950 |
10000 | $0.17689 | $1768.9 |
25000 | $0.16772 | $4193 |
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