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IRF7807VPBF

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Numero parte	IRF7807VPBF
LIXINC Part #	IRF7807VPBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF7807VPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF7807VPBF Specifiche

Numero parte:	IRF7807VPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	8.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SO
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDP025N06	MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3	949 Maggiori informazioni su Ordine
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APT20M38BVRG	MOSFET N-CH 200V 67A TO247	816 Maggiori informazioni su Ordine
RM110N150HD	MOSFET N-CH 150V 113A TO263-2	885 Maggiori informazioni su Ordine
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FDP75N08	MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3	1249 Maggiori informazioni su Ordine
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