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FDP75N08

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Numero parte	FDP75N08
LIXINC Part #	FDP75N08
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDP75N08 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDP75N08 Specifiche

Numero parte:	FDP75N08
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	UniFET™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	104 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4.468 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	131W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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NVD5C486NT4G	MOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK	15855 Maggiori informazioni su Ordine
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SIHB16N50C-E3	MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK	1825 Maggiori informazioni su Ordine
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FQI6N60CTU	MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK	2756 Maggiori informazioni su Ordine
IPB096N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK	939 Maggiori informazioni su Ordine