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AUIRFS8408-7P

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Numero parte	AUIRFS8408-7P
LIXINC Part #	AUIRFS8408-7P
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	AUIRFS8408-7P Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

AUIRFS8408-7P Specifiche

Numero parte:	AUIRFS8408-7P
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	195A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.9V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	324 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	10820 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	294W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D2PAK
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP210DUFB4-7	MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN	1526760802 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFS830B	N-CHANNEL POWER MOSFET	21186 Maggiori informazioni su Ordine
BSP129L6906	N-CHANNEL POWER MOSFET	16989 Maggiori informazioni su Ordine
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SSM3J112TU,LF	MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM	920 Maggiori informazioni su Ordine
PMZ350XN,315	MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3	20855 Maggiori informazioni su Ordine
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FCPF650N80Z	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N	1638 Maggiori informazioni su Ordine