BSZ028N04LSATMA1

BSZ028N04LSATMA1
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Numero parte BSZ028N04LSATMA1
LIXINC Part # BSZ028N04LSATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSZ028N04LSATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSZ028N04LSATMA1 Specifiche

Numero parte:BSZ028N04LSATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:21A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2300 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TSDSON-8-FL
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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