FDMA86251 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA86251

FDMA86251

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Numero parte	FDMA86251
LIXINC Part #	FDMA86251
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMA86251 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMA86251 Specifiche

Numero parte:	FDMA86251
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	363 pF @ 75 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.4W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-MicroFET (2x2)
pacchetto/caso:	6-WDFN Exposed Pad

IRFH8337TRPBF	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN	1000 Maggiori informazioni su Ordine
IPA60R060C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 16A TO220	957 Maggiori informazioni su Ordine
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IPA80R1K4CEXKSA2	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220	1594 Maggiori informazioni su Ordine
NDH832P	MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8	74240 Maggiori informazioni su Ordine
IRFSL4010PBF	MOSFET N-CH 100V 180A TO262	931 Maggiori informazioni su Ordine
CSD19503KCS	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3	2407 Maggiori informazioni su Ordine