N0412N-S19-AY

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Numero parte N0412N-S19-AY
LIXINC Part # N0412N-S19-AY
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD N0412N-S19-AY Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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N0412N-S19-AY Specifiche

Numero parte:N0412N-S19-AY
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5550 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 119W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220
pacchetto/caso:TO-220-3

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