APTM120DA30CT1G

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Numero parte APTM120DA30CT1G
LIXINC Part # APTM120DA30CT1G
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APTM120DA30CT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APTM120DA30CT1G Specifiche

Numero parte:APTM120DA30CT1G
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:POWER MOS 8™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:31A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:360mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:560 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:14560 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):657W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SP1
pacchetto/caso:SP1

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