SPB18P06P

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Numero parte SPB18P06P
LIXINC Part # SPB18P06P
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPB18P06P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SPB18P06P Specifiche

Numero parte:SPB18P06P
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SIPMOS®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):81.1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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