CSD18512Q5BT

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Numero parte CSD18512Q5BT
LIXINC Part # CSD18512Q5BT
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD18512Q5BT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CSD18512Q5BT Specifiche

Numero parte:CSD18512Q5BT
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:211A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7120 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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