IRFR3607PBF

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Numero parte IRFR3607PBF
LIXINC Part # IRFR3607PBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFR3607PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFR3607PBF Specifiche

Numero parte:IRFR3607PBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:56A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3.07 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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