IPB35N12S3L26ATMA1

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Numero parte IPB35N12S3L26ATMA1
LIXINC Part # IPB35N12S3L26ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 120V 35A TO263-3-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB35N12S3L26ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPB35N12S3L26ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPB35N12S3L26ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:26.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.4V @ 39µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):71W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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