SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3
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Numero parte SI4800BDY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4800BDY-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI4800BDY-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI4800BDY-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SI4800BDY-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:18.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.8V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 5 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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