SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J206FE(TE85L,F | SSM6J206FE(TE85L,F Inventory, Best Pricing

SSM6J206FE(TE85L,F

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Numero parte	SSM6J206FE(TE85L,F
LIXINC Part #	SSM6J206FE(TE85L,F
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SSM6J206FE(TE85L,F Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

SSM6J206FE(TE85L,F Specifiche

Numero parte:	SSM6J206FE(TE85L,F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.8V, 4V
rds su (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	335 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	500mW (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	ES6 (1.6x1.6)
pacchetto/caso:	SOT-563, SOT-666

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