AOI11S60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOI11S60

AOI11S60

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Numero parte	AOI11S60
LIXINC Part #	AOI11S60
Produttore	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	AOI11S60 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

AOI11S60 Specifiche

Numero parte:	AOI11S60
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	aMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	545 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	208W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-251A
pacchetto/caso:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

AUIRFSL4010	AUTOMOTIVE POWER MOSFET	889 Maggiori informazioni su Ordine
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