FCP400N80Z

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Numero parte FCP400N80Z
LIXINC Part # FCP400N80Z
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCP400N80Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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FCP400N80Z Specifiche

Numero parte:FCP400N80Z
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SuperFET® II
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1.1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.35 pF @ 1 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):195W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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