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Numero parte | HN1B04FU-Y,LF |
LIXINC Part # | HN1B04FU-Y,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - array |
Descrizione | X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HN1B04FU-Y,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | HN1B04FU-Y,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - array |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | NPN, PNP |
corrente - collettore (ic) (max): | 150mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
corrente - taglio collettore (max): | 100nA (ICBO) |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 120 @ 2mA, 6V |
potenza - max: | 200mW |
frequenza - transizione: | 150MHz |
temperatura di esercizio: | 125°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | US6 |
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IT120A TO-78 6L | TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL | 936 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 14566 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.28000 | $0.28 |
3000 | $0.04830 | $144.9 |
6000 | $0.04200 | $252 |
15000 | $0.03570 | $535.5 |
30000 | $0.03360 | $1008 |
75000 | $0.03150 | $2362.5 |
150000 | $0.02800 | $4200 |
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