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Numero parte | HN2C01FEYTE85LF |
LIXINC Part # | HN2C01FEYTE85LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - array |
Descrizione | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HN2C01FEYTE85LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | HN2C01FEYTE85LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - array |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo a transistor: | 2 NPN (Dual) |
corrente - collettore (ic) (max): | 150mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
corrente - taglio collettore (max): | 100nA (ICBO) |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 120 @ 2mA, 6V |
potenza - max: | 100mW |
frequenza - transizione: | 60MHz |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SOT-563, SOT-666 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | ES6 |
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In magazzino | 14763 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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