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MT47H512M4THN-25E:H

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Numero parte MT47H512M4THN-25E:H
LIXINC Part # MT47H512M4THN-25E:H
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT47H512M4THN-25E:H Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47H512M4THN-25E:H Specifiche

Numero parte:MT47H512M4THN-25E:H
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria:2Gb (512M x 4)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:400 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:15ns
tempo di accesso:400 ps
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:63-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:63-FBGA (8x10)

MT47H512M4THN-25E:H Documenti

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