MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

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Numero parte MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
LIXINC Part # MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Produttore Micron Technology
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Specifiche

Numero parte:MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Marca:Micron Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Micron Technology
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH
tecnologia:FLASH - NAND
Dimensione della memoria:3Tb (384G x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.5V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:272-LFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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