APT35GP120B2D2G

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Numero parte APT35GP120B2D2G
LIXINC Part # APT35GP120B2D2G
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APT35GP120B2D2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APT35GP120B2D2G Specifiche

Numero parte:APT35GP120B2D2G
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:POWER MOS 7®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:PT
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):96 A
corrente - collettore pulsato (icm):140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 35A
potenza - max:540 W
energia di commutazione:1mJ (on), 1.185mJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:150 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:14ns, 99ns
condizione di test:800V, 35A, 5Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):85 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3 Variant
pacchetto del dispositivo del fornitore:T-MAX™ [B2]

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