IRGP6630D-EPBF

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Numero parte IRGP6630D-EPBF
LIXINC Part # IRGP6630D-EPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT WITH RECOVERY DIODE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRGP6630D-EPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRGP6630D-EPBF Specifiche

Numero parte:IRGP6630D-EPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):47 A
corrente - collettore pulsato (icm):54 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 18A
potenza - max:192 W
energia di commutazione:75µJ (on), 350µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:30 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:40ns/95ns
condizione di test:400V, 18A, 22Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):70 ns
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247AD

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