2PS18012E44G40113NOSA1

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Numero parte 2PS18012E44G40113NOSA1
LIXINC Part # 2PS18012E44G40113NOSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2PS18012E44G40113NOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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2PS18012E44G40113NOSA1 Specifiche

Numero parte:2PS18012E44G40113NOSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:PrimeSTACK™
pacchetto:Tray
stato della parte:Not For New Designs
tipo igbt:-
configurazione:Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):2560 A
potenza - max:5600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:-
corrente - taglio collettore (max):-
capacità di ingresso (cies) @ vce:-
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-25°C ~ 60°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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