DD1200S12H4HOSA1

DD1200S12H4HOSA1
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Numero parte DD1200S12H4HOSA1
LIXINC Part # DD1200S12H4HOSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 1200A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DD1200S12H4HOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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DD1200S12H4HOSA1 Specifiche

Numero parte:DD1200S12H4HOSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:-
configurazione:2 Independent
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):1200 A
potenza - max:1200000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 1200A
corrente - taglio collettore (max):-
capacità di ingresso (cies) @ vce:-
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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