FZ1200R12HE4HOSA2

FZ1200R12HE4HOSA2
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Numero parte FZ1200R12HE4HOSA2
LIXINC Part # FZ1200R12HE4HOSA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 1200A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FZ1200R12HE4HOSA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FZ1200R12HE4HOSA2 Specifiche

Numero parte:FZ1200R12HE4HOSA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:*
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:-
configurazione:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):-
corrente - collettore (ic) (max):-
potenza - max:-
vce(on) (max) @ vge, ic:-
corrente - taglio collettore (max):-
capacità di ingresso (cies) @ vce:-
ingresso:-
termistore ntc:-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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