NXH35C120L2C2ESG

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Numero parte NXH35C120L2C2ESG
LIXINC Part # NXH35C120L2C2ESG
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NXH35C120L2C2ESG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NXH35C120L2C2ESG Specifiche

Numero parte:NXH35C120L2C2ESG
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:-
configurazione:Three Phase Inverter with Brake
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):35 A
potenza - max:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
corrente - taglio collettore (max):250 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
ingresso:Three Phase Bridge Rectifier
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
pacchetto del dispositivo del fornitore:26-DIP

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