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Numero parte | SI4472DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4472DY-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI4472DY-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI4472DY-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 150 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 7.7A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 8V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 45mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 43 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1735 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SO |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
BSS84_D87Z | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | 847 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRL3714S | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 984 Maggiori informazioni su Ordine |
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NVMFS5834NLT3G | MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | 899 Maggiori informazioni su Ordine |
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NTF3055L175T3G | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 | 890 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10909 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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