BSS192PE6327T

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Numero parte BSS192PE6327T
LIXINC Part # BSS192PE6327T
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSS192PE6327T Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSS192PE6327T Specifiche

Numero parte:BSS192PE6327T
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:190mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.8V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 130µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6.1 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:104 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT89
pacchetto/caso:TO-243AA

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