EPC2030ENGRT

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Numero parte EPC2030ENGRT
LIXINC Part # EPC2030ENGRT
Produttore EPC
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET NCH 40V 31A DIE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EPC2030ENGRT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 04 - Jul 08 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EPC2030ENGRT Specifiche

Numero parte:EPC2030ENGRT
Marca:EPC
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:EPC
serie:eGaN®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:31A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 16mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 5 V
vgs (massimo):+6V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die
pacchetto/caso:Die

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