PHT8N06LT,135

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Numero parte PHT8N06LT,135
LIXINC Part # PHT8N06LT,135
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHT8N06LT,135 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHT8N06LT,135 Specifiche

Numero parte:PHT8N06LT,135
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11.2 nC @ 5 V
vgs (massimo):±13V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-223
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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