IRF530NSTRRPBF

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Numero parte IRF530NSTRRPBF
LIXINC Part # IRF530NSTRRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF530NSTRRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 30 - Jul 04 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRF530NSTRRPBF Specifiche

Numero parte:IRF530NSTRRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:920 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 70W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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