IRFD010PBF

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Numero parte IRFD010PBF
LIXINC Part # IRFD010PBF
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFD010PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 02 - Jul 06 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFD010PBF Specifiche

Numero parte:IRFD010PBF
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):50 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:200mOhm @ 860mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:250 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
pacchetto/caso:4-DIP (0.300", 7.62mm)

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