R6030ENZC8 | ROHM Semiconductor R6030ENZC8 | R6030ENZC8 Inventory, Best Pricing

R6030ENZC8

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Numero parte	R6030ENZC8
LIXINC Part #	R6030ENZC8
Produttore	ROHM Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	R6030ENZC8 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

R6030ENZC8 Specifiche

Numero parte:	R6030ENZC8
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	ROHM Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2100 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	120W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-3PF
pacchetto/caso:	TO-3P-3 Full Pack

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IRFD9024	MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP	859 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF6709S2TR1PBF	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET	822 Maggiori informazioni su Ordine
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STW30NM60ND	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3	858 Maggiori informazioni su Ordine
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