BSP613P

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Numero parte BSP613P
LIXINC Part # BSP613P
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSP613P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSP613P Specifiche

Numero parte:BSP613P
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.9A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:130mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:875 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223-4
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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