2SK3309(TE24L,Q)

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Numero parte 2SK3309(TE24L,Q)
LIXINC Part # 2SK3309(TE24L,Q)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SK3309(TE24L,Q) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2SK3309(TE24L,Q) Specifiche

Numero parte:2SK3309(TE24L,Q)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):450 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:920 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):65W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220SM
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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