SPP100N08S2L-07

SPP100N08S2L-07
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Numero parte SPP100N08S2L-07
LIXINC Part # SPP100N08S2L-07
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPP100N08S2L-07 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPP100N08S2L-07 Specifiche

Numero parte:SPP100N08S2L-07
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:246 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7130 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3-1
pacchetto/caso:TO-220-3

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