TK12P60W,RVQ

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Numero parte TK12P60W,RVQ
LIXINC Part # TK12P60W,RVQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK12P60W,RVQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 03 - Oct 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK12P60W,RVQ Specifiche

Numero parte:TK12P60W,RVQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSIV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.7V @ 600µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:890 pF @ 300 V
caratteristica del feto:Super Junction
dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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