FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080
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Numero parte FQD12N20TM_F080
LIXINC Part # FQD12N20TM_F080
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQD12N20TM_F080 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FQD12N20TM_F080 Specifiche

Numero parte:FQD12N20TM_F080
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:QFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:910 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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