IXTQ200N06P

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Numero parte IXTQ200N06P
LIXINC Part # IXTQ200N06P
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTQ200N06P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXTQ200N06P Specifiche

Numero parte:IXTQ200N06P
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:PolarHT™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:5mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:200 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5400 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):714W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3P
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3

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