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Numero parte | IRFSL3806PBF |
LIXINC Part # | IRFSL3806PBF |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRFSL3806PBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | IRFSL3806PBF |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | HEXFET® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 43A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 15.8mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 50µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.15 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-262 |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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In magazzino | 12083 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.36000 | $0.36 |
10 | $0.31886 | $3.1886 |
100 | $0.25200 | $25.2 |
500 | $0.19543 | $97.715 |
1000 | $0.15429 | $154.29 |
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