RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 | RQ3E100MNTB1 Inventory, Best Pricing

RQ3E100MNTB1

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Numero parte	RQ3E100MNTB1
LIXINC Part #	RQ3E100MNTB1
Produttore	ROHM Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RQ3E100MNTB1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RQ3E100MNTB1 Specifiche

Numero parte:	RQ3E100MNTB1
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	ROHM Semiconductor
serie:	*
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	9.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2W (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-HSMT (3.2x3)
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

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SFW9Z24TM	P-CHANNEL POWER MOSFET	2406 Maggiori informazioni su Ordine
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