FDMC007N08LC | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC007N08LC

FDMC007N08LC

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Numero parte	FDMC007N08LC
LIXINC Part #	FDMC007N08LC
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMC007N08LC Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMC007N08LC Specifiche

Numero parte:	FDMC007N08LC
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	66A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 120µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2940 pF @ 40 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	57W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

RM17N800T2	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	975 Maggiori informazioni su Ordine
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BSZ0901NSATMA1	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON	6156 Maggiori informazioni su Ordine