SI7454DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7454DP-T1-GE3 | SI7454DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7454DP-T1-GE3

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Numero parte	SI7454DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7454DP-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI7454DP-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI7454DP-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI7454DP-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	34mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.9W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® SO-8
pacchetto/caso:	PowerPAK® SO-8

HUFA75307T3ST	MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4	84946 Maggiori informazioni su Ordine
SI2343CDS-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3	989 Maggiori informazioni su Ordine
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BUK7508-55A,127	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	833 Maggiori informazioni su Ordine
NTE2396	MOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220	1513 Maggiori informazioni su Ordine
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BUK652R3-40C,127	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB	5975 Maggiori informazioni su Ordine