IPWS65R035CFD7AXKSA1

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Numero parte IPWS65R035CFD7AXKSA1
LIXINC Part # IPWS65R035CFD7AXKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPWS65R035CFD7AXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPWS65R035CFD7AXKSA1 Specifiche

Numero parte:IPWS65R035CFD7AXKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:63A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:35mOhm @ 35.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1.79mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:145 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7149 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):305W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-3-41
pacchetto/caso:TO-247-3

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