NDDP010N25AZ-1H

NDDP010N25AZ-1H
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Numero parte NDDP010N25AZ-1H
LIXINC Part # NDDP010N25AZ-1H
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione NDDP010N25AZ-1H
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NDDP010N25AZ-1H Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NDDP010N25AZ-1H Specifiche

Numero parte:NDDP010N25AZ-1H
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:980 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:IPAK/TP
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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