TSM60N1R4CH C5G

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Numero parte TSM60N1R4CH C5G
LIXINC Part # TSM60N1R4CH C5G
Produttore TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TSM60N1R4CH C5G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TSM60N1R4CH C5G Specifiche

Numero parte:TSM60N1R4CH C5G
Marca:TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7.7 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:370 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):38W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-251 (IPAK)
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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