FDMC2610

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Numero parte FDMC2610
LIXINC Part # FDMC2610
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMC2610 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMC2610 Specifiche

Numero parte:FDMC2610
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:UniFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:200mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:960 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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