IPL60R285P7AUMA1

IPL60R285P7AUMA1
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Numero parte IPL60R285P7AUMA1
LIXINC Part # IPL60R285P7AUMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPL60R285P7AUMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPL60R285P7AUMA1 Specifiche

Numero parte:IPL60R285P7AUMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™ P7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:285mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 190µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:761 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):59W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-VSON-4
pacchetto/caso:4-PowerTSFN

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