CSD18511Q5AT

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Numero parte CSD18511Q5AT
LIXINC Part # CSD18511Q5AT
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD18511Q5AT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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CSD18511Q5AT Specifiche

Numero parte:CSD18511Q5AT
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:159A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 24A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.45V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5850 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-VSONP (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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