Solo per riferimento
Numero parte | CSD18511Q5AT |
LIXINC Part # | CSD18511Q5AT |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD18511Q5AT Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD18511Q5AT |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 159A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.5mOhm @ 24A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.45V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5850 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-VSONP (5x6) |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
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SQ4005EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC | 3453 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11437 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.62000 | $1.62 |
250 | $0.97329 | $243.3225 |
500 | $0.86265 | $431.325 |
750 | $0.75649 | $567.3675 |
1250 | $0.68570 | $857.125 |
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