IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2
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Numero parte IXTY1R6N100D2
LIXINC Part # IXTY1R6N100D2
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTY1R6N100D2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXTY1R6N100D2 Specifiche

Numero parte:IXTY1R6N100D2
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:645 pF @ 25 V
caratteristica del feto:Depletion Mode
dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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